场效应管FCD9N60N

封装外形：
LLCC/无引线陶瓷片载
型号/规格：
FCD9N60N
材料：
GaAS-FET砷化镓
用途：
MOS-HBM/半桥组件
品牌/商标：
FAIRCHILD/*童
沟道类型：
N沟道
种类：
*缘栅(MOSFET)
导电方式：
耗尽型

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企业名：蔡楚杰

类型：生产加工

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联系人：蔡楚杰

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商品信息 更新时间：2013-05-02

供应场效应管FCD9N60N供应场效应管FCD9N60N供应场效应管FCD9N60N供应场效应管FCD9N60N供应场效应管FCD9N60N供应场效应管FCD9N60N供应场效应管FCD9N60N供应场效应管FCD9N60N供应场效应管FCD9N60N供应场效应管FCD9N60N供应场效应管FCD9N60N供应场效应管FCD9N60N供应场效应管FCD9N60N"

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