品牌:村田 型号:BLM15AG221SN1D 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:LMP-C/阻*变换 封装外形:CHIP/小型片状 材料:SIT静电感应
结构X2-MKP为无感结构，用金属化聚丙烯膜作为电介质/电*绕制而成，导线采用镀锡铜包钢线，使用环氧树脂密封在塑料壳内 应用MKP电容适用于旁路，耦合，离合，电源跨线以及火花的抑制器回路中有优良的*干扰能力适用于电源开关中 特性无感型结构自愈性好，寿命长阻燃性塑料封装高耐湿性特性容易焊接 技术要求引用标准：GB/T14472(IEC 60384-14)气候类别：40/100/21额定电压：280VAC电容量范围：0.0022-4.7Uf电容量偏差：&plu*n;5%(J), &plu*n;10%(K)，&plu*n;20%(M)耐电压：4.3UR℃(5S)损耗角：≤0.3%(20℃,10HZ)*缘电阻：≥15000MΩ CR≤0.33Uf (20℃,1min)≥5000s CR>0.33Uf (20℃,1min)
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