| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | Ａ０４６１１ |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | D-G双栅四* |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | １０００（V） | 夹断电压 | １（V） |
| 低频跨导 | ５（μS） | *间电容 | ２（pF） |
| 低频噪声系数 | １００（dB） | *大漏*电流 | １０（mA） |
| *大耗散功率 | ０.０１（mW） |
货期：现货供应
原产地：墨西哥/韩国/中国（原装*）
包装方式：管装。型号后带TR则代表盘装
*小购货量：50只
质量/*认证：IR产品已通过ISO 9001:2000认证，无铅*
亿铭电子品质*：只有原装，只做原装
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
