| 品牌/商标 | FairChild*童 | 型号/规格 | HGTP5N120BND |
| 应用范围 | 带阻尼 | 功率特性 | 小功率 |
| 频率特性 | 低频 | *性 | NPN型 |
| 结构 | 面接触型 | 材料 | 硅(Si) |
| 封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 塑料封装 |
| 集电**大允许电流ICM | 21（A） | 集电**大耗散功率PCM | 167（W） |
| 营销方式 | 现货 | 产品性质 | * |
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
配置: Single
集电*—发射**大电压 VCEO: 1200 V
集电*—射*饱和电压: 2.45 V
栅*/发射**大电压: +/- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 21 A
栅*—射*漏泄电流: +/- 250 nA
功率耗散: 167 W
*大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
*小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
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