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现货供应场效应管系列SPP20N60C3欢迎咨询

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  • 封装外形：

    TO-220-3

  • 型号/规格：

    SPP20N60C3

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 沟道类型：

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 导电方式：

    耗尽型

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普通会员
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商品信息


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET 功率
 

 

RoHS:RoHS 符合 详细信息
配置:Single
 

 

晶体管*性:N-Channel
电阻汲*/源* RDS（导通）:0.19 Ohm @ 10 V
 

 

汲*/源*击穿电压:600 V
闸/源击穿电压: /- 20 V
 

 

漏*连续电流:20.7 A
功率耗散:208000 mW
 

 

*大工作温度: 150 C
安装风格:Through Hole
 

 

封装 / 箱体:TO-220AB
封装:Tube
 

 

*小工作温度:- 55 C
*件号别名:SPP20N60C3XK

联系方式

企业名：深圳市福田区宏诚辉电子商行

类型：经销商

电话： 0755-82894329

联系人：陈义雄

地址：广东深圳深圳市福田区华强电子世界2号楼21B241号

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