| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | A1815 |
| 应用范围 | 功率 | 功率特性 | 小功率 |
| 频率特性 | 低频 | *性 | NPN型 |
| 结构 | 点接触型 | 材料 | 硅(Si) |
| 封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 塑料封装 |
| 截止频率fT | 0（MHz） | 集电**大允许电流ICM | 0（A） |
| 集电**大耗散功率PCM | 0（W） | 营销方式 | * |
| 产品性质 | * |
我以NPN三*管为例为你说明三*管的原理：
*先三*管是由两个P-N结够成，NPN三*管就是两头是N型，中间是P型。N端为电子端，P端为空穴端
在制造三*管时，要把发射区的N型半导体电子浓度做的很大，基区P型半导体做的很薄，当基*的电压大于发射*电压（硅管要大0.7V，锗管要大0.3V）而小于集电*电压时，这时发射区的电子进入基区，进行复合，形成IE；但由于发射区的电子浓度很大，基区又很薄，电子就会穿过反向偏置的集电结到集电区的N型半导体里，形成IC；基区的空穴被复合后，基*的电压又会进行补给，形成IB。
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