TI/德州场效应管 CSD17310 CSD17310Q5A

品牌：
TI/德州仪器
型号：
CSDV 100A TI/德州
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
UNI/一般用途
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
材料：
N-FET硅N沟道
开启电压：
1.8（V）
夹断电压：
10/-8（V）
跨导：
-（μS）
*间电容：
1560（pF）

发布询价信息

普通会员

企业名：深圳市金城微零件有限公司

类型：经销商

电话： 0755-83683996

联系人：钟丽华

QQ：

邮箱：2355799088@qq.com

地址：广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E（上海宾馆后面）门市1部：深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室门市2部：深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

产品分类

电源IC(9)
∟ 稳压IC(9)
二极管(315)
∟ 稳压二极管(1)∟ 开关二极管(1)∟ 变容二极管(2)∟ 快/超快/特快恢复二极管(170)∟ 肖特基二极管(141)
三极管(57)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(1)∟ 功率三极管(33)∟ 开关三极管(6)∟ 低噪声三极管(3)∟ 复合(达林顿)三极管(10)∟ 其他三极管(3)
场效应管MOSFET(2031)
∟ MOSFET(1893)∟ 结型场效应管(2)∟ 其他场效应管模块(3)
可控硅IGBT(48)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(20)∟ 双向可控硅(晶闸管)(26)
电源/稳压器(6)
∟ 模块电源/电源模块(4)
传感器(1)
∟ 霍尔传感器(1)
LED(1)
∟ 其它LED相关产品（服务）(1)

新品上架

商品信息

CSDNPB P-TDSON-8 TI/德州 SMD/MOS N场.9mΩ

深圳市金城微*件有限公司

：传真：						批量供应MOS管
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E			：钟
公司网址：Http：//www.chinajincheng.com


型号	品牌	封装	类型	电压V	电流A	内阻Ω	开启电压V
BSC019N04NSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	40	100	0.019	4
BSC022N03SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	100	0.0022	2
BSC024N025SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	25	100	0.0024	2
BSC025N03MSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	100	0.0025	2
BSC029N025SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	25	100	0.0029	2
BSC030N03LSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	100	0.003	2.2
BSC030N03MSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	100	0.003	2
BSC030N04NSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	40	100	0.003	4
BSC032N03SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	50	0.0032	2
BSC035N04LSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	40	100	0.0035	2
BSC042N03SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	95	0.0042	2
BSC048N025SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	25	89	0.0048	2
BSC050N03LSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	80	0.005	2.2
BSC052N03SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	80	0.0052	2
BSC054N04NSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	40	81	0.0054	4
BSC059N03SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	73	0.0055	2
BSC059N04LSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	40	73	0.0059	2
BSC079N03SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	40	0.0079	2
BSC080N03LSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	53	0.008	2.2
BSC080N03MSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	53	0.008	2
BSC090N03LSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	48	0.009	2.2
BSC090N03MSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	48	0.009	2
BSC094N03SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	35	0.0094	2
BSC100N03LSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	44	0.01	2.2
BSC100N03MSG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	44	0.01	2
BSC119N03SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	30	0.0119	2
BSC120N03SG	infineon	P-TDSON-8	NMOS	30	39	0.012	2.2
BSC750N10NDG	infineon	P-TDSON-8	双NMOS	100	13	0.075	4
P0603BK	NIKO	P-TDSON-8	NMOS	30	65	0.006	3
P0903BK	NIKO	P-TDSON-8	NMOS	30	53	0.009	3
STL100NH3LL	ST	P-TDSON-8	NMOS	30	100	0.0035	3
STL150N3LLH5	ST	P-TDSON-8	NMOS	30	150	0.0018	2.2
STL80N4LLF3	ST	P-TDSON-8	NMOS	40	80	0.005	2.2
CSD17307Q5A	TI/德州	P-TDSON-8	NMOS	30	73	0.0084	1.3
CSD17310Q5A	TI/德州	P-TDSON-8	NMOS	30	100	0.0039	1.3
BSO052N03S	infineon	SOP-8	MOS	30	17	0.0052	2
BSZ040N04LSG	infineon	S308	MOS	40	40	0.004	2
BSZ050N03MSG	infineon	S308	MOS	30	40	0.0045	2
BSZ058N03LSG	infineon	S308	MOS	30	40	0.0058	2.2
BSZ058N03MSG	infineon	S308	MOS	30	40	0.005	2
BSZ088N03LSG	infineon	S308	MOS	30	40	0.0088	2.2
BSZ097N04LSG	infineon	S308	MOS	40	40	0.0097	2
BSZ100N03LSG	infineon	S308	MOS	30	40	0.01	2.2
BSZ100N03MSG	infineon	S308	MOS	30	40	0.0091	2
BSZ130N03LSG	infineon	S308	MOS	30	35	0.013	2.2
BSZ165N04NSG	infineon	S308	MOS	40	31	0.0165	4