TOSHIBA/东芝
SI4894BDY,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,8.9A,0.011Ω
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
联系人:钟丽华
邮箱:2355799088@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
SI4894BDY,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,8.9A,0.011Ω
产品型号:SI4894BDY Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES:
* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available
* TrenchFET Power MOSFET
* 100% Rg Tested
封装:SOP-8
品牌:VISHAY/威士
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):8.9
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.011 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):1.4
输入电容Ciss(PF):1580 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):32
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):20
导通延迟时间Td(on)(ns):13 typ.
上升时间Tr(ns):10 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):33 typ.
下降时间Tf(ns):10 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SI4894BDY,30V,8.9A,0.011Ω N-沟道增强型场效应晶体管
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企业Q
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