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场效应管 SI4894BDY

场效应管 SI4894BDY
场效应管 SI4894BDY
  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    SI4894BDY,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,8.9A,0.011Ω

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

普通会员
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-83683996

    联系人:钟丽华

    QQ: QQ:2355799088

    邮箱:2355799088@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

商品信息

SI4894BDY,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,8.9A,0.011Ω

产品型号:SI4894BDY Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES:
 * Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available
 * TrenchFET Power MOSFET
 * 100% Rg Tested

封装:SOP-8

品牌:VISHAY/威士

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):8.9

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.011 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):1.4

输入电容Ciss(PF):1580 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):32

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):20

导通延迟时间Td(on)(ns):13 typ.

上升时间Tr(ns):10 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):33 typ.

下降时间Tf(ns):10 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SI4894BDY,30V,8.9A,0.011Ω N-沟道增强型场效应晶体管


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企业Q
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联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:经销商

电话: 0755-83683996

联系人:钟丽华

QQ: QQ:2355799088

邮箱:2355799088@qq.com

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