5.8A
P-DIT/塑料双列直插
IRFS634A IRFS63*,MOS,250V,8.1A,0.45Ω,220F
N-FET硅N沟道
FAIRCHILD/*童
N沟道
*缘栅(MOSFET)
30
增强型
950
企业名：深圳市金城微零件有限公司
类型：经销商
电话： 0755-83683996
联系人：钟丽华
QQ： 
邮箱：2355799088@qq.com
地址：广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E（上海宾馆后面） 门市1部：深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部：深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
产品型号:IRFS634A
封装:TO-220F
源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):250
夹断电压VGS(V):&plu*n;30
*大漏*电流Id(A):5.8
源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.45 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):38
输入电容Ciss(PF):730 t*.
通道*性:N沟道
低频跨导gFS(s)：5.41
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):210
导通延迟时间Td(on)(ns):13 t*.
上升时间Tr(ns):14 t*.
关断延迟时间Td(off)(ns):53 t*.
下降时间Tf(ns):21 t*.
温度(℃): -50 ~150
描述:250V,5.8A N-沟道增强型 PowerM*H MOSFET
产品型号:IRFS63*
源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):250
源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.45
*大漏*电流Id(on)(A):8.1
通道*性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150
描述:250V,8.1A功率MOSFET
应用范围：
.UPS电源
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