产品型号:AON6788
概述
SRFET AON6788一个单片集成肖特基二*管采用*的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和低栅*电荷。这个装置是适合用于作为一个低侧FET在SMPS中，负载开关和一般用途。

封装:QFN-8 5*6/DFN5X6

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):&plu*n;12

*大漏*电流Id(A):80

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.004 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2

功率PD(W):78

输入电容Ciss(PF):4380 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：115

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):80

导通延迟时间Td(on)(ns):10 t*.

上升时间Tr(ns):6 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):50 t*.

下降时间Tf(ns):7 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,80A,0.004Ω N-沟道增强型场效应晶体管

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