2SK3399,SOT-263,SMD/MOS,N场,600V,10A,0.75Ω,带二*管保护

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS T*e (π-MOSV)
应用:
 * 开关稳压器应用

特点:
 * 低漏源导通电阻RDS（ON）= 0.54Ω（典型值）
 * 高正向传输导纳：|YFS|= 5.2 S（典型值）
 * 低漏电流IDSS= 100uA（*大值）（VDSS= 600 V）
 * Enhancementmode：VTH= 3.0--5.0 V（VDS =10V，ID= 1毫安）

产品型号:2SK3399

封装:SOT-263

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):10

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):100

输入电容Ciss(PF):1750 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：5.2

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):363

导通延迟时间Td(on)(ns):15 t*.

上升时间Tr(ns):40 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):8 t*.

下降时间Tf(ns):35 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:2SK3399,600V,10A N-沟道增强型场效应晶体管

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