H10N60F,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,10A,1Ω

应用
 * 开关模式电源
 * 不间断电源
 * 高速电源开关

特点
 * H10N60F是高电压N沟道增强模式功率MOSFET芯片制造中先进的硅外延工艺
 * 先进的高端方案提供增强电压阻断能力
 * 雪崩能量
 * 源漏二极管恢复时间比较离散快速恢复二极管;
 * 打包的产品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC转换器和PWM Hbridge电机驱动器

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