品牌/商标 | FUJI | 型号/规格 | 2SK3450 |
种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | DIFF/差分放大 |
封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
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配置: | Single |
晶体管*性: | N-Channel |
电阻汲*/源* RDS(导通): | 0.4 Ohms |
汲*/源*击穿电压: | 450 V |
闸/源击穿电压: | 30 V |
漏*连续电流: | 13 A |
功率耗散: | 100 W |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220FL/SM |
封装: | Bulk |
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