IR/国际整流器
IRFBG30
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
WAFER/裸芯片
GE-N-FET锗N沟道
企业名：深圳市新源江贸易有限公司
类型：生产加工
电话： 0755-83957788
联系人：李俊龙
地址：广东深圳中航路都会电子城3B115（柜台）都会大厦A座30A（公司）
原装现货
| 配置: | Single |
| 晶体管*性: | N-Channel |
| 电阻汲*/源* RDS（导通）: | 5 Ohms |
| 汲*/源*击穿电压: | 1000 V |
| 闸/源击穿电压: | +/- 20 V |
| 漏*连续电流: | 3.1 A |
| 功率耗散: | 125 W |
| *大工作温度: | + 150 C |
| 安装风格: | Through Hole |
| 封装 / 箱体: | TO-220AB |
| 封装: | Tube |
| *小工作温度: | - 55 C |
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
