产品型号:STP27N3LH5
特点
 * RDS(ON)Qg和行业基准
 * 极低的导通电阻RDS(on)
 * 极低的开关栅极电荷
 * 高雪崩坚固耐用
 * 低栅极驱动器的功率损耗

应用
 * 开关应用

封装:TO-220

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±22

漏极电流Id(A):27

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):1 MIN.

功率PD(W):45

输入电容Ciss(PF):475 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):50

导通延迟时间Td(on)(ns):4 typ.

上升时间Tr(ns):22 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):13 typ.

下降时间Tf(ns):2.8 typ.

温度(℃): -55 ~175

描述:30V,27A N-沟道增强型场效应晶体管
This STripFE V Power MOSFET technology is among the latest improvements,

which have been especially tailored to achieve very low on-state

resistance providing also one of the best-in-class figure of merit (FOM).

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