产品型号:KIA3805
1.描述
功率MOSFET的设计采用沟槽基于布局的过程。这技术提高的表现相比，标准件，从各种sources.All的这些功率MOSFET是专为应用在开关稳压器，开关转换器，电机和继电器驱动器和驱动器的高要求高速度和低栅极驱动电源的功率双极晶体管的开关。

2，用途
 * VDSS =55V，RDS（ON）=3.3mΩ，ID =220A
 * 先进的工艺技术
 * 超低导通电阻
 * 175°C的工作温度
 * 快速开关
 * 多允许重复雪崩TJMAX

封装:TO-220/247

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):220

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0033 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):130

输入电容Ciss(PF):7960 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：75

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):730

导通延迟时间Td(on)(ns):150 typ.

上升时间Tr(ns):20 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):93 typ.

下降时间Tf(ns):87 typ.

温度(℃): -55 ~175

描述:55V,220A N-沟道增强型场效应晶体管

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