产品型号:CEF13N5

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):13

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.48 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):60

极间电容Ciss(PF):2100

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：10

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

温度(℃): -55 ~175

描述:500V,13A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

 

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ZDX130N50,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,13A,0.52Ω
10V驱动N沟道MOSFET

特点：
1）低导通电阻。
2）高速开关。
3）保证±30V的栅源电压VGSS。
4）高的封装功率。

应用：
1）开关
2）UPS电源
3）镇流器
4）太阳能、LED照明电源
5）HID/逆变器

品牌:ROHM

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也

称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7～10^12Ω）、噪声小、

功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶

体管和功率晶体管的强大竞争者。
 
特点
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；
（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻(Ω)很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

 

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