SSM6J503NU
TOSHIBA(东芝)
UDFN6B
无铅环保型
贴片式
3000/盘
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-83364431
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手机:15811840616
15811829690
联系人:刘小姐/钟小姐
微信:
邮箱:2355799104@qq.com
地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室
SSM6J505NU,TOSHIBA,UDFN6B,SMD/MOS,P场,-12V,-12A,0.012Ω,带二极静电保护
产品型号:SSM6J505NU
MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)
应用:
* 电源管理开关
特点
(1)1.2 V的栅极驱动电压。
(2)低漏源导通电阻:RDS(ON) = 61 mΩ (max) (@VGS = -1.2 V)
:RDS(ON) = 30 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)
:RDS(ON) = 21 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
:RDS(ON) = 16 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
:RDS(ON) = 12 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)
封装:UDFN6B
品牌:TOSHIBA/东芝
通道极性:P沟道
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-12V
夹断电压VGS(V):±6
漏极电流Id(A):-12
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = -4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):-1
功率PD(W):1.25
输入电容Ciss(PF):2700 typ.
低频跨导gFS(s):24
导通延迟时间Td(on)(ns):46 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):420 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6J505NU,-12V,-12A P-沟道增强型场效应晶体管
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-83364431
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手机:15811840616
15811829690
联系人:刘小姐/钟小姐
微信:
邮箱:2355799104@qq.com
地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室