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场效应管 KMB075N75P,KMB075N75P-U/P,KMB075N75

供应 场效应管 KMB075N75P,KMB075N75P-U/P,KMB075N75
供应 场效应管 KMB075N75P,KMB075N75P-U/P,KMB075N75
  • 型号/规格:

    KMB075N75P-U/P

  • 品牌/商标:

    KEC

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    1000/盒

  • 功率特征:

    中功率

VIP会员 第 18
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83364431
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    手机:15811840616
    15811829690

    联系人:刘小姐/钟小姐

    QQ: QQ:2355799089QQ:2355799088

    微信:

    邮箱:2355799104@qq.com

    地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室

商品信息

 

产品型号:KMB075N75P-U/P
概述
这的平面条形MOSFET具有更好的特性,如快速开关时间,低导通电阻,低栅极电荷和优良的雪崩特性。它主要适用于有源功率因数校正,电子镇流器基于半桥拓扑和开关式电源供应器。

特点:
 * VDSS =75V,ID =75A
 * 漏源导通电阻RDS(ON)=0.017@ VGS = 10V
 * QG(TYP.)=85nC
 * 改进的dv/dt容量,高耐用性
 * 结温范围(175)

封装:TO-220

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):75

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.017 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):190

输入电容Ciss(PF):3000 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):2.8

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):1350

导通延迟时间Td(on)(ns):25 typ.

上升时间Tr(ns):300 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):150 typ.

下降时间Tf(ns):180 typ.

温度(℃): -55 ~175

描述:75V,75A N-沟道增强型场效应晶体管

 

(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)

联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-83364431
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手机:15811840616
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联系人:刘小姐/钟小姐

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