产品型号:KMB075N75P-U/P
概述
这的平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良的雪崩特性。它主要适用于有源功率因数校正，电子镇流器基于半桥拓扑和开关式电源供应器。

特点:
 * VDSS =75V，ID =75A
 * 漏源导通电阻RDS(ON)=0.017@ VGS = 10V
 * QG（TYP.）=85nC
 * 改进的dv/dt容量，高耐用性
 * 结温范围（175）

封装:TO-220

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):75

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.017 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):190

输入电容Ciss(PF):3000 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：2.8

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):1350

导通延迟时间Td(on)(ns):25 typ.

上升时间Tr(ns):300 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):150 typ.

下降时间Tf(ns):180 typ.

温度(℃): -55 ~175

描述:75V,75A N-沟道增强型场效应晶体管

 

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