产品型号:TK150F04K3
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIV)

应用:
 * 开关稳压器，DC-DC转换器应用
 * 电机驱动应用

特点解：
 * 低漏源导通电阻RDS（ON）=1.7mΩ（TYP.）
 * 高正向转移导纳：｜YFS｜=210 S（TYP.）
 * 低漏电流IDSS=10μA（值）（VDS= 40 V）
 * 增强模式：VTH =3.0--4.0 V（VDS=10V，ID= 1 mA）

封装:SOT-263

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):150

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0021 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):300

输入电容Ciss(PF):7500 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：210

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):234

导通延迟时间Td(on)(ns):48 typ.

上升时间Tr(ns):32 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ.

下降时间Tf(ns):43 typ.

温度(℃): -55 ~175

描述:TK150F04K3,40V,150A N-沟道增强型场效应晶体管

 

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