产品型号:SiR472DP
特点
 * 无卤素
 * TrenchFET功率MOSFET
 * 低热阻低1.07 mm外形的PowerPAK封装
 * 优化的高侧同步整流的运作
 * 100%的Rg测试
 * 100%的UIS测试

应用
 * 笔记本CPU核心
 * 高边开关

封装:PowerPAK SO-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):20

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.5

功率PD(W):29.8

输入电容Ciss(PF):820 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：52

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):24

导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.

上升时间Tr(ns):12 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ.

下降时间Tf(ns):10 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,20A N-沟道增强型场效应晶体管

 

 

企业名：深圳市金城微零件有限公司

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