SSM6L11TU,TOSHIBA,SOT-323-6,SMD/MOS,N+P,20V/-20V,0.5A/-0.5A,0.145Ω，带二极静电保护

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type

产品型号:SSM6L11TU

应用:

 * 高速开关应用

特点：
 * 适用于高密度安装在小包装
 * 低导通电阻：Q1: RDS(ON) = 395mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)
               Q2: RDS(ON) = 430mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

封装:SOT-323-6

品牌：TOSHIBA/东芝

通道极性:N+P沟道

N-MOSFET 技术参数：
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20V

夹断电压VGS(V):±12

漏极电流Id(A):0.5

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.145 @VGS = -4 V

开启电压VGS(TH)(V):1.1

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):268 typ.

低频跨导gFS(s)：2.4

导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.

P-MOSFET 技术参数：
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20V

夹断电压VGS(V):±12

漏极电流Id(A):-0.5

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.26 @VGS = -4 V

开启电压VGS(TH)(V):-1.1

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):218 typ.

低频跨导gFS(s)：1.3

导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6L11TU,20V/-20V,0.5A/-0.5A,0.145Ω N+P-沟道增强型场效应晶体管

 

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