MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:NDB6030PL

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30

漏极电流Id(A):-30

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025

开启电压VGS(TH)(V):-2

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150

描述:-30V -30A  P-Channel MOSFET

 

产品型号:NDB6020P

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20

漏极电流Id(A):-24

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.05

开启电压VGS(TH)(V):-1

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150

描述:-20V, -24A P-Channel MOSFET

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