产品型号:AOT502

概述
AOT502 uses an optimally designed temperature compensated gate-drain

zener clamp. Under overvoltage conditions, the clamp activates and turns

on the MOSFET, safely dissipating the energy in the MOSFET.
The built in resistor guarantees proper clamp operation under all circuit

conditions, and the MOSFET never goes into avalanche breakdown. Advanced

trench technology provides excellent low Rdson, gate charge and body

diode characteristics, making this device ideal for motor and inductive

load control applications.

应用范围：
 * LED电源控制器

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):33

夹断电压VGS(V):

漏极电流Id(A):60

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0115 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.7

功率PD(W):79

输入电容Ciss(PF):1205 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):55

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):41

导通延迟时间Td(on)(ns):13.5 typ.

上升时间Tr(ns):17.5 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):63 typ.

下降时间Tf(ns):27 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:33V,60A N-沟道增强型场效应晶体管

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