SSM6L36FE
TOSHIBA(东芝)
SOT-563-6
无铅环保型
贴片式
4000/盘
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-83364431
0755-83364431
手机:15811840616
15811829690
联系人:刘小姐/钟小姐
微信:
邮箱:2355799104@qq.com
地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室
新到TOSHIBA/东芝系列SOT-323,SOT-23,SOT-416
SOT-563,SOT-723,SOT-883,CST4,UDFN6B,UDFN6
等小体积MOS,带二极静电保护,用于锂电保护,航模电调,无刷电机,移动电源,手机等应用,全新原装,现货供应,欢迎咨询。
SSM6L36FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N+P,20V/-20V,0.5A/-0.33A,0.66Ω
产品型号:SSM6L36FE
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type
应用:
* 高速开关应用
* 模拟开关应用
特点:
* 1.5-V驱动器
* 低导通电阻:Q1 Nch: Ron = 1.52Ω (max) (@VGS = 1.5 V)
Ron = 1.14Ω (max) (@VGS = 1.8 V)
Ron = 0.85Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
Ron = 0.66Ω (max) (@VGS = 4.5 V)
Ron = 0.63Ω (max) (@VGS = 5.0 V)
Q2 Pch: Ron = 3.60Ω (max) (@VGS = -1.5 V)
Ron = 2.70Ω (max) (@VGS = -1.8 V)
Ron = 1.60Ω (max) (@VGS = -2.8 V)
Ron = 1.31Ω (max) (@VGS = -4.5 V)
封装:SOT-563
品牌:TOSHIBA/东芝
通道极性:N+P沟道
N-MOSFET:
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20V
夹断电压VGS(V):±10
漏极电流Id(A):0.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.66 @VGS = 4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):1
功率PD(W):0.15
输入电容Ciss(PF):46 typ.
低频跨导gFS(ms):840
导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ.
P-MOSFET:
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20V
夹断电压VGS(V):±8
漏极电流Id(A):-0.33
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.31 @VGS = 4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):-1
功率PD(W):0.15
输入电容Ciss(PF):43 typ.
低频跨导gFS(ms):190
导通延迟时间Td(on)(ns):90 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):200 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6L36FE,20V/-20V,0.5A/-0.33A,0.66Ω N+P-沟道增强型场效应晶体管
(深圳市金城微零件有限公司
地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-83364431
0755-83364431
手机:15811840616
15811829690
联系人:刘小姐/钟小姐
微信:
邮箱:2355799104@qq.com
地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室