新到TOSHIBA/东芝系列SOT-323，SOT-23，SOT-416
SOT-563，SOT-723，SOT-883，CST4，UDFN6B，UDFN6
等小体积MOS,带二极静电保护，用于锂电保护,航模电调，无刷电机，移动电源，手机等应用，全新原装，现货供应，欢迎咨询。

SSM6L36FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N+P,20V/-20V,0.5A/-0.33A,0.66Ω
 
产品型号:SSM6L36FE

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type

应用:

 * 高速开关应用
 * 模拟开关应用

特点：
 * 1.5-V驱动器
 * 低导通电阻：Q1 Nch: Ron = 1.52Ω (max) (@VGS = 1.5 V)
                       Ron = 1.14Ω (max) (@VGS = 1.8 V)
                       Ron = 0.85Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
                       Ron = 0.66Ω (max) (@VGS = 4.5 V)
                       Ron = 0.63Ω (max) (@VGS = 5.0 V)
               Q2 Pch: Ron = 3.60Ω (max) (@VGS = -1.5 V)
                       Ron = 2.70Ω (max) (@VGS = -1.8 V)
                       Ron = 1.60Ω (max) (@VGS = -2.8 V)
                       Ron = 1.31Ω (max) (@VGS = -4.5 V)

封装:SOT-563

品牌：TOSHIBA/东芝

通道极性:N+P沟道

N-MOSFET:
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20V

夹断电压VGS(V):±10

漏极电流Id(A):0.5

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.66 @VGS = 4.5 V

开启电压VGS(TH)(V):1

功率PD(W):0.15

输入电容Ciss(PF):46 typ.

低频跨导gFS(ms)：840

导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ.

P-MOSFET:
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20V

夹断电压VGS(V):±8

漏极电流Id(A):-0.33

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.31 @VGS = 4.5 V

开启电压VGS(TH)(V):-1

功率PD(W):0.15

输入电容Ciss(PF):43 typ.

低频跨导gFS(ms)：190

导通延迟时间Td(on)(ns):90 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):200 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6L36FE,20V/-20V,0.5A/-0.33A,0.66Ω N+P-沟道增强型场效应晶体管

 

 

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