新到TOSHIBA/东芝系列SOT-323，SOT-23，SOT-416
SOT-563，SOT-723，SOT-883，CST4，UDFN6B，UDFN6
等小体积MOS,带二极静电保护，用于锂电保护,航模电调，无刷电机，移动电源，手机等应用，全新原装，现货供应，欢迎咨询。

SSM6N15FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,30V,0.1A,4Ω
SSM6N37FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,20V,0.25A,2.2Ω
SSM6N44FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,30V,0.1A,4Ω
 
产品型号:SSM6N15FE

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type

应用:

 * 高速开关应用
 * 模拟开关应用

特点：
 * 小封装
 * 低导通电阻：Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V)
             : Ron = 7.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)

封装:SOT-563

品牌：TOSHIBA/东芝

通道极性:双N沟道

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30V

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):0.1

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4 @VGS = -4 V

开启电压VGS(TH)(V):1.5

功率PD(W):0.15

输入电容Ciss(PF):7.8 typ.

低频跨导gFS(ms)：25

导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):180 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6N15FE,30V,0.1A,4Ω 双N-沟道增强型场效应晶体管

 

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