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600V 场效应管 FCP20N60 20N60

供应 600V 场效应管 FCP20N60 20N60
供应 600V 场效应管 FCP20N60 20N60
  • 型号/规格:

    FCP20N60

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    1000/盒

VIP会员 第 18
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83364431
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    手机:15811840616
    15811829690

    联系人:刘小姐/钟小姐

    QQ: QQ:2355799089QQ:2355799088

    微信:

    邮箱:2355799104@qq.com

    地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室

商品信息

产品型号:FCP20N60 600V N-Channel MOSFET

封装:TO-220

品牌:FAIRCHILD/仙童

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):20

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.19 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):208

输入电容Ciss(PF):2370 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):17

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):690

导通延迟时间Td(on)(ns):62 typ.

上升时间Tr(ns):140 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):230 typ.

下降时间Tf(ns):65 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:FCP20N60,TO-220,DIP/MOS,N场,600V,20A,0.19Ω N-沟道增强型场效应晶体管
   SuperFET is, Fairchild’s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.
   This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy.Consequently, SuperFET is very suitable for various AC/DC power conversion in switching mode operation for system miniaturization and higher efficiency.

特点:
 * 650V @TJ = 150°C
 * Typ. RDS(on) = 0.15Ω
 * Ultra low gate charge/超低栅极电荷(typ. Qg = 75nC)
 * Low effective output capacitance/低有效输出电容 (typ. Coss.eff = 165pF)
 * 100% avalanche tested..... 100%雪崩测试
 * RoHS Compliant....RoHS标准


深圳市金城微零件有限公司                                  
地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)

 

联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-83364431
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手机:15811840616
15811829690

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