产品型号:H10N60F

应用
 * 开关模式电源
 * 不间断电源
 * 高速电源开关

特点
 * H10N60F是高电压N沟道增强模式功率MOSFET芯片制造中先进的硅外延工艺
 * 先进的高端方案提供增强电压阻断能力
 * 雪崩能量
 * 源漏二极管恢复时间比较离散快速恢复二极管;
 * 打包的产品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC转换器和PWM Hbridge电机驱动器

封装:TO-220F

品牌：HJ/华昕

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

漏极电流Id(A):10

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

通道极性:N沟道

描述:H10N60F,N场,600V,10A,1Ω N-沟道增强型场效应晶体管

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MOS/场效应管发热情况有：

1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的忌讳的错误。

2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。

3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。

4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

 

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