品牌:ST *童 型号:4N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:ALGaAS铝镓砷 开启电压:供应场效应管全系列（V） 夹断电压:供应场效应管全系列（V） 低频跨导:供应场效应管全系列（μS） *间电容:供应场效应管全系列（pF） 低频噪声系数:供应场效应管全系列（dB） *大漏*电流:供应场效应管全系列（mA） *大耗散功率:供应场效应管全系列（mW）

供应场效应管全系列 欢迎咨询

AT24C02/04/08/16/32/64/128/256/AT93*6。TDA2030A。TEA2025。L7805。L7812。78M05。ULN2003。TL431。MAX809。74HC04。74HC138。74HC164。74HC245。74HC595。*5024。OB2262，OB2263。OB2268。OB2269。OB2532。OB2535。MAX491。LM339。LM393。LM358。LM324。LM2940。LM2596。LM2576。LM317。TL494。OP07。APM4953。APM9435。HT6222。HT6221。MC34063。JR*558。NE555。UC2842。UC3843。AMS1117/1.2/1.5/1.8/2.5/3.3/5.0/ADJ。LT1083/LT1084/LT1085。MAX232。XC6206。AP3406。CE8301。RT9261。BL8530。BL8505。DW01+。8205A。CR6002。PT7*337。PT7*372。PT7M7809。PT7803等 ......未能尽录，请来电咨询。

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