品牌:silan 型号:8N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2.0（V） 夹断电压:4.0（V） *间电容:1095（pF） *大漏*电流:8A（mA） *大耗散功率:147W（mW）

8A、600V N沟道增强型场效应管

	电压
	600V

	产品名称
	SVD8N60

	参数ID
	8A

	参数RDSON(MAX)
	1.2Ω

	封装
	TO-220F-3L;TO-220-3L

描述
SVD8N60T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、*的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。

特点
∗ 8A，600V，RDS(on)(典型值)=0.96Ω@VGS=10V
∗ 低栅*电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ *了dv/dt 能力

封装形式:

SVD8N60T TO-220-3L
SVD8N60F TO-220F-3L

企业名：杭州昂亿电子科技有限公司

类型：经销商

电话： 571-87550591

联系人：郑美芳

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