NCE
NCE8205A
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
0.5-1.2(V)
20(V)
600(pF)
企业名:无锡新洁能功率半导体有限公司
类型:生产企业
电话: 0510-85627637
手机:15961834960
联系人:顾朋朋
邮箱:gupp@ncepower.com
地址:江苏无锡高浪东路999号,国家传感信息中心研发大楼8楼
∟ MOSFET(22)
产品特征:低导通电阻,低栅*电荷。
高散热能力,高结温下,大电流持续导通能力。
高Eas能力。(100%UIS测试)
电参数高度一致性和重复性。
*制程,高*静电电能力(*D)
产品应用:主要用于开关电源,电动车控制器,UPS电源,充电器,
工控电源,太阳能电源,机箱电源,逆变器,电力电源,照明电源,
*电源,电焊机,机电设备等。
Vds=20V;Id=6A;
Rds(ON)<22mΩ @Vgs=4.5V
Rds(ON)<29mΩ @Vgs=4.5V注:@在…的条件下
封装:TSSOP-8
企业名:无锡新洁能功率半导体有限公司
类型:生产企业
电话: 0510-85627637
手机:15961834960
联系人:顾朋朋
邮箱:gupp@ncepower.com
地址:江苏无锡高浪东路999号,国家传感信息中心研发大楼8楼
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司