NCE
NCE5549
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
2-4(V)
大于55(V)
1300(pF)
企业名:无锡新洁能功率半导体有限公司
类型:生产企业
电话: 0510-85627637
手机:15961834960
联系人:顾朋朋
邮箱:gupp@ncepower.com
地址:江苏无锡高浪东路999号,国家传感信息中心研发大楼8楼
∟ MOSFET(22)
产品特征:低导通电阻,低栅*电荷。
高散热能力,高结温下,大电流持续导通能力。
高Eas能力。(100%UIS测试)
电参数高度一致性和重复性。
*制程,高*静电电能力(*D)
产品应用:主要用于 开关电源,电动车控制器,UPS电源,充电器,
工控电源,太阳能电源,机箱电源,逆变器,电力电源,照明电源,
*电源,电焊机,机电设备等。
Vds=55V;Id=49A ; Rds(ON)<11mΩ @Vgs=10V (T*:8.4mΩ)
注:@在…的条件下 封装:TO-220
企业名:无锡新洁能功率半导体有限公司
类型:生产企业
电话: 0510-85627637
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友情链接: 深圳市元东发电子有限公司