IPS
FTP23N10A
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
100
57000
企业名:深圳市汇能伟业科技有限公司
类型:生产加工
电话: 755-28095410
联系人:朱敏
地址:广东深圳深圳市福田区天安数码城天发大厦CD座四楼
∟ MOSFET(4)
VDSS RDS(ON) (Max.) ID
100V 23 m: 57A
Ordering Information
PART NU*ER PACKAGE BRAND
FTP23N10A TO-220 FTP23N10A
Absolute Maximum Ratings TC=25 oC unless otherwise specified
Symbol Parameter FTP23N10A Units
VDSS Drain-to-Source Voltage (*TE *1) 100 V
ID Continuous Drain Current 57
ID@ 100 A oC Continuous Drain Current Figure 3*
IDM Pulsed Drain Current, VGS@ 10V (*TE *2) Figure 6*
PD
Power Dissipation 200 W
Derating Factor above 25 oC 1.3 W/ oC
VGS Gate-to-Source Voltage &plu*n; 20 V
EAS
Single Pulse Avalanche Engergy
L=1.0 mH, ID=32 Amps 512 mJ
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司