| 是否提供加工定制：否 | 品牌：国产 | 型号：3DF50C |
| 应用范围：放大 | 材料：硅(Si) | *性：NPN型 |
| 集电**大耗散功率PCM：500（W） | 结构：平面型 | 封装形式：直插型 |
| 封装材料：塑料封装 |
型号：3DF50C
NPN低频*功率三*管
封装形式：TO-*III
电特性：
*限值（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | * 号 | 额定值 | 单 位 |
集电*—发射*电压 | VCE0 | 200 | V |
集电*—基*电压 | VCBO | 250 | V |
发射*—基*电压 | VEBO | 7.0 | V |
集电*电流 | IC | 50 | A |
耗散功率 | Pc | 500 | W |
结 温 | Tj | 150 | ℃ |
贮存温度 | Tstg | -50 ~ +155 | ℃ |
电参数（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | *号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | ||
*小 | 典型 | *大 | ||||
集电*-基*截止电流 | ICB0 | VCB=250V IE=0 | — | — | 5.0 | uA |
发射*-基*截止电流 | IEB0 | VEB=7V IC=0 | — | — | 5.0 | uA |
直流电流增益 | hFE | Vce=5V IC=3A | 80 | — | 200 |
|
集电*-发射*饱和电压 | VCE(sat) | IC=10A IB=1A | — | — | 1.8 | V |
集电*—基*饱和电压 | VCB(sat) | IC=10A IB=1A | — | — | 1.4 | V |
集电*-发射*击穿电压 | V(BR)CEO | IC=1mA IB=0 | 200 | — | — | V |
集电*-基*击穿电压 | V(BR)CBO | IC=1mA IE=0 | 250 | — | — | V |
发射*-基*击穿电压 | V(BR)EBO | IE=1mA IC=0 | 7.0 | — | — | V |
a:脉冲测试 | ||||||
其他参数：
2SC5200 150W 15A 230V
2S*237 100W 10A 800V
2SC3320 80W 15A 400V
2SC3153 100W 6A 800V
2SC3998 250W 25A 800V
2SC2246 100W 15A 450V
2SC2625 80W 10A 400V
BUX48A 200W 20A 450-800V
BUS14A 250W 25A 400-600V
3DF50C 500W 50A 200V
3DD5686 300W 50A 200V
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