| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRFD9014PBF |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-TPBM/三相桥 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 低频跨导 | 1（μS） | *间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | *大漏*电流 | 1（mA） |
| *大耗散功率 | 1（mW） |
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| 产品种类: | MOSFET 小信号 |
| RoHS: |
| 配置: | Single Dual Drain |
| 晶体管*性: | P-Channel |
| 电阻汲*/源* RDS（导通）: | 0.5 Ohm @ 10 V |
| 汲*/源*击穿电压: | 60 V |
| 闸/源击穿电压: | +/- 20 V |
| 漏*连续电流: | 1.1 A |
| 功率耗散: | 1300 mW |
| *大工作温度: | + 175 C |
| 安装风格: | Through Hole |
| 封装 / 箱体: | HexDIP |
| 封装: | Tube |
| *小工作温度: | - 55 C |
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