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现货**童FQA160N08

品牌：
FAIRCHILD/*童
型号：
FQA160N08
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
MW/微波
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
SIT静电感应
开启电压：
1（V）
夹断电压：
1（V）
跨导：
1（μS）
*间电容：
1（pF）

发布询价信息

普通会员

企业名：深圳市飞捷士科技有限公司

类型：经销商

电话： 755-88250321

联系人：杨宝林

地址：广东深圳滨河大道皇都广场B座1006号

产品分类

电源IC(1)
∟ 其他电源IC(1)
二极管(43)
∟ 整流二极管(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(4)∟ ESD静电二极管(1)∟ 肖特基二极管(20)∟ 其他二极管(15)
三极管(17)
∟ 功率三极管(1)∟ 低噪声三极管(12)∟ 复合(达林顿)三极管(1)∟ 其他三极管(1)
场效应管MOSFET(544)
∟ MOSFET(463)∟ 结型场效应管(9)∟ 其他场效应管模块(24)
可控硅IGBT(1)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(1)
电源/稳压器(2)
∟ 其他类型电源(2)
其他未分类(6)

新品上架

商品信息 更新时间：2013-01-04

*童 MOS IGBT 场效应管

Manufacturer:

Fairchild Semiconductor

Product Category:

MOSFETs

RoHS:

Details

Product:

General Purpose MOSFETs

Configuration:

Single

Package / Case:

TO-*

Transistor Polarity:

N-Channel

Drain-Source Breakdown Voltage:

80 V

Continuous Drain Current:

160 A

Power Dissipation:

375000 mW

Forward Transconductance gFS (Max / Min):

92 S

Resistance Drain-Source RDS (on):

0.007 Ohm @ 10 V

T*ical Fall Time:

410 ns

T*ical Rise Time:

970 ns

T*ical Turn-Off Delay Time:

260 ns

Packaging:

Tube

Gate-Source Breakdown Voltage:

/- 25 V

Maximum Operating Temperature:

175 C

Minimum Operating Temperature:

- 55 C

T*e:

MOSFET

"

联系方式

企业名：深圳市飞捷士科技有限公司

类型：经销商

电话： 755-88250321

联系人：杨宝林

地址：广东深圳滨河大道皇都广场B座1006号

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