品牌/商标 | 东光 | 型号/规格 | 4N60 |
种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 2(V) | 夹断电压 | 650(V) |
跨导 | 4000(μS) | *间电容 | 8(pF) |
低频噪声系数 | 23(dB) | *大漏*电流 | 100(mA) |
*大耗散功率 | 250(mW) |
产品参数 T=25
Characteristics(参数) | Symbol(*号) | Value(额定值) | Units(单位) |
漏源反向击穿电压 | BV dss | 600 | V |
连续漏*电流 | I d | 4.4 | A |
栅源电压 | V gs | &plu*n;30 | V |
雪崩能量 | E as | 260 | mJ |
耗散功率 | P d | 106 | W |
储存温度 | T stg | -55~150 | ℃ |
热阻(结到壳) | R jc | 1.18 | ℃/W |
正向压降 | V sd | 1.4 | V |
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