| 品牌/商标 | ON | 型号/规格 | 1N4007RLG |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 2（V） | 夹断电压 | 3（V） |
| *间电容 | 2（pF） | 低频噪声系数 | 3（dB） |
| *大漏*电流 | 2（mA） | *大耗散功率 | 1（mW） |
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