供应500V,50A N-CH MOSFET管K1522    trr = 120 ns,  500V,50A N-CH MOSFET管K1837    trr = 620 ns

Application
High speed power switching
Features
·  Low on-resistance
·  High speed switching
·  Low drive current
·  Built-in fast recovery diode (trr = 120 ns)
·  Suitable for motor control, switching regulator, DC-DC converter

IGBT管的万用表检测方法

　

　IGBT 管的好坏可用指针万用表的 Rxlk 挡来检测，或用数字万用表的“二*管”挡来测量 PN 结正向压降进行判断。检测前先将 IGBT 管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测 G 、 e 两*及 G 、 c 两*的电阻，对于正常的 IGBT 管（正常 G 、 C 两*与 G 、 c 两*间的正反向电阻均为*大；内含阻尼二*管的 IGBT 管正常时， e 、 C *间均有 4k Ω正向电阻），上述所测值均为*大；*后用指针万用表的红笔接 c *，黑笔接 e *，若所测值在 3 ． 5k Ω l 左右，则所测管为含阻尼二*管的 IGBT 管，若所测值在 50k Ω左右，则所测 IGBT 管内*阻尼二*管。对于数字万用表，正常情况下， IGBT 管的 C 、 C *间正向压降约为 0 ． 5V 。

　　综上所述，内含阻尼二*管的 IGBT 管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为*大。
 
　　如果测得 IGBT 管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得 IGBT 管三个引脚间电阻均为*大，说明该管已开路损坏。实际维修中 IGBT 管多为击穿损坏。

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