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LBSS84LT1G 印字PD BSS84 MOSFET P通道 SOT-23 LRC on安森美

LBSS84LT1G 印字PD BSS84 MOSFET P通道 SOT-23 LRC on安森美
LBSS84LT1G 印字PD BSS84 MOSFET P通道 SOT-23 LRC on安森美
  • 应用范围:

    功率

  • 品牌/商标:

    LRC乐山/ON安森美

  • 型号/规格:

    BSS84LT1G

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 材料:

    硅(Si)

普通会员
  • 企业名:北京科隆兴电子科技发展中心

    类型:经销商

    电话: 010-82614133

    联系人:辜贵东

    地址:北京北京市北京市海淀区知春路118号知春电子城精品间B515 中发电子市场1175柜台

商品信息

本公司图片均为实物实拍,**无铅现货

价格:整盘:0.08/个

型号:BSS84LT1G

      LBSS84LT1G

代码:PD

品牌:ON/LRC(原装)

规格:SOT-23

数量:3000pcs/盘

基本参数:

晶体管*性:P

漏*电流, Id*大值:-130mA

电压, Vds*大:50V

开态电阻, Rds(on):6ohm

电压@ Rds测量:-10V

电压, Vgs*高:-20V

功耗:0.25W

工作温度范围:-65°C to +150°C

封装类型:SOT-23

功率, Pd:0.25W

封装类型:SOT-23

晶体管类型:MOSFET

电压Vgs @ Rds on测量:-10V

电压, Vds典型值:-50V

电流, Id连续:0.13A

电流, Idm脉冲:0.52A

表面安装器件:表面安装

阈值电压, Vgs th典型值:-2V

阈值电压, Vgs th*高:-2V

FET型 :MOSFET P通道,金属氧化物prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office"

     FET特点 :逻辑电平门

     开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25°C10欧姆@ 130mA, 10V

     漏*至源*电压(Vdss)50V

     电流-连续漏*(Id) @ 25°C130mA

     Id时的Vgs(th)(*大) :2V @ 1mA

     Vds时的输入电容(Ciss)45pF @ 25V

     功率-*大 :250mW

     安装类型 :表面贴装

     封装/外壳 :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

     包装 :剪切带(*)

 

 

联系方式

企业名:北京科隆兴电子科技发展中心

类型:经销商

电话: 010-82614133

联系人:辜贵东

地址:北京北京市北京市海淀区知春路118号知春电子城精品间B515 中发电子市场1175柜台

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