品牌:国产 型号:BTA06/BTB06 控制方式:双向 *数:三* 封装材料:塑料封装 封装外形:TO-220 关断速度:普通 散热功能:带散热片 频率特性:低频 功率特性:小功率 额定正向平均电流:6（A） 控制*触发电流:15～20，10～15，5～10，1～5（mA）

可控硅的工作条件：
1. 可控硅承受反向阳*电压时，不管门*承受和种电压，可控硅都处于关短状态。
2. 可控硅承受正向阳*电压时，*在门*承受正向电压的情况下可控硅才导通。
3. 可控硅在导通情况下，只要有*的正向阳*电压，不论门*电压如何，可控硅保持导通，即可控硅导通后，门*失去作用。
4. 可控硅在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于*时，

可控硅关断。

从可控硅的内部分析工作过程：
可控硅是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三*管和一个NPN型三*管的复合管。当可控硅承受正向阳*电压时，为使可控硅导铜，*须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。每个晶体管的集电*电流同时就是另一个晶体管的基*电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有*的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。

设PNP管和NPN管的集电*电流相应为Ic1和Ic2；发射*电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,可控硅的阳*电流等于两管的集电*电流和漏电流的总和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0。若门*电流为Ig,则可控硅阴*电流为Ik=Ia+Ig。从而可以得出可控硅阳*电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式。硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射*电流的改变而急剧变化。

当可控硅承受正向阳*电压，而门*未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故可控硅的阳*电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。当可控硅在正向阳*电压下，从门*G流入电流Ig,由于*大的Ig流经NPN管的发射结，从而*起点流放大系数a2,产生*大的*电*电流Ic2流过PNP管的发射结，并*了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的*电*电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程*进行。从图3，当a1和a2随发射*电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此*了可控硅的阳*电流Ia.这时，流过可控硅的电流*由主回路的电压和回路电阻决定。可控硅已处于正向导通状态。式（1—1）中，在可控硅导通后，1-（a1+a2）≈0,即使此时门*电流Ig=0,可控硅仍能保持原来的阳*电流Ia而继续导通。可控硅在导通后，门*已失去作用。

在可控硅导通后，如果不断的减小电源电压或*回路电阻，使阳*电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1*下降，当1-（a1+a2）≈0时，可控硅恢复阻断状态。

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