品牌:国产 型号:2N2222 应用范围:放大 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCBO:60（V） 集电**大允许电流ICM:0.6（A） 集电**大耗散功率PCM:0.625（W） 截止频率fT:250（MHz） 结构:外延型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装
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品牌:国产
型号TYPE：2N2222
封装Package：TO-92（欢迎旺旺或来电咨询）
三*管的主要参数
选用三*管需要了解三*管的主要参数。若手中有一本晶体管特性手册*好。三*管的参数很多，根据实践经验，我认为主要了解三*管的四个*限参数：ICM、BVCEO、PCM及fT即可满足95%以上的使用需要。
1. ICM是集电**大允许电流。三*管工作(工作总结)时当它的集电*电流*过*数值时，它的电流放大系数β将下降。为此规定三*管的电流放大系数β变化不*过允许值时的集电**大电流称为ICM。所以在使用中当集电*电流IC*过ICM时不至于损坏三*管，但会使β值减小，影响电路的工作(工作总结)性能。
2. BVCEO是三*管基*开路时，集电*-发射*反向击穿电压。如果在使用中加在集电*与发射*之间的电压*过这个数值时，将可能使三*管产生很大的集电*电流，这种现象叫击穿。三*管击穿后会造成性损坏或性能下降。
3. PCM是集电**大允许耗散功率。三*管在工作(工作总结)时，集电*电流在集电结上会产生热量而使三*管发热。若耗散功率过大，三*管将烧坏。在使用中如果三*管在大于PCM下长时间工作(工作总结)，将会损坏三*管。需要注意的是大功率三*管给出的*大允许耗散功率都是在加有*规格散热器情况下的参数。使用中*要注意这一点。
4. 特征频率fT。随着工作(工作总结)频率的升高，三*管的放大能力将会下降，对应于β=1时的频率fT叫作三*管的特征频率。
一般小功率三*管的选用
小功率三*管在电子电路中的应用*多。主要用作小信号的放大、控制或振荡器。选用三*管时*先要搞清楚电子电路的工作(工作总结)频率大概是多少。如中波收音机振荡器的*高频率是2MHz左右；而调频收音机的*高振荡频率为120MHz左右；电视机中VHF频段的*高振荡频率为250MHz左右； UHF频段的*高振荡频率接近1000MHz左右。工程设计中一般要求三*管的fT大于3倍的实际工作(工作总结)频率。所以可按照此要求来选择三*管的特征频率 fT。由于硅材料高频三*管D882的fT一般不低于50MHz，所以在音频电子电路中使用这类管子可不考虑fT这个参数。
小功率三*管BVCEO的选择可以根据电路的电源电压来决定，一般情况下只要三*管的BVCEO大于电路中电源的*高电压即可。当三*管的负载是感性负载时，如变压器、线圈等时BVCEO数值的选择要慎重，感性负载上的感应电压可能*电源电压的2～8倍(如*灯中的升压三*管D882)。一般小功率三*管的BVCEO*低于15V，所以在无电感元件的低电压电路中也不用考虑这个参数。
一般小功率三*管的ICM在30～50mA之间，对于小信号电路一般可以不予考虑。但对于驱动继电器及推动大功率音箱的管子要认真计算一下。当然*先要了解继电器的吸合电流是多少毫安，以此来确定三*管的ICM。
当我们估算了电路中三*管的工作(工作总结)电流(即集电*电流)，又知道了三*管集电*到发射*之间的电压后，就可根据P=U×I来计算三*的集电**大允许耗散功率PCM。
国产及国外生产的小功率三*管的型号*多，它们的参数有一部分是相同的，有一部分是不同的。只要你根据以上分析的使用条件，本着“大能代小”的原则(即 BVCEO高的三*管可以代替BVCEO低的三*管；ICM大的三*管可以代替ICM小的三*管等），就可对三*管应用自如了。
大功率三*管的选用
对于大功率三*管，只要不是高频发射电路，我们**考虑三*管的特征频率fT。对于三*管的集电*-发射*反向击穿电压BVCEO这个*限参数的考虑与小功率三*管是一样的。对于集电**大允许电流 ICM的选择主要也是根据三*管所带的负载情况而计算的。三*管的集电**大允许耗散功率PCM是大功率三*管重点考虑的问题，需要注意的是大功率三*管*须有良好的散热器。即使是一只四五十瓦的大功率三*管，在没有散热器时，也只能经受两三瓦的功率耗散。大功率三*管的选择还应留有充分的余量。另外在选择大功率三*管时还要考虑它的安装条件，以决定选择塑封管还是金属封装的管子。
如果你拿到一只三*管又无法查到它的参数，可以根据它的外形来推测一下它的参数。目前小功率三*管*多见的是TO-92封装的塑封管，也有部分是金属壳封装。它们的PCM一般在100～500mW之间，*大的不*过1W。它们的ICM一般在50～500mA之间，*大的不*过1.5A。而其它参数是不好判断的。
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