| 品牌/商标 | 长电 | 型号/规格 | S8550 |
| 应用范围 | 放大 | 功率特性 | 大功率 |
| 频率特性 | *频 | *性 | PNP型 |
| 结构 | 点接触型 | 材料 | 硅(Si) |
| 封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 金属封装 |
| 截止频率fT | 150（MHz） | 集电**大允许电流ICM | 500（A） |
| 集电**大耗散功率PCM | 300（W） | 营销方式 | 代理 |
| 产品性质 | * |
FEATUR*
Power dissipation
P
CM
: 0.625 W（Tamb=25℃）
Collector current
I
CM
: 0.5 A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: 40 V
ELE*RICAL CHARA*ERISTICS（Tamb=25℃ unless otherwise specified）
Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage V(BR)
CBO
Ic= 100μA , I
E
=0 40 V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)
CEO
Ic= 0.1 mA， I
B
=0 25 V
Emitter-base breakdown voltage V(BR)
EBO
I
E
= 100μA， I
C
=0 5 V
Collector cut-off current I
CBO
V
CB
= 40 V , I
E
=0 0.1 μA
Collector cut-off current I
CEO
V
CE
= 20 V , I
B
=0 0.2 μA
Emitter cut-off current I
EBO
V
EB
= 3 V， I
C
=0 0.1 μA
H
FE（1）
V
CE
= 1 V, I
C
= 50mA 85 300
DC current gain(note)
H
FE（2）
V
CE
= 1 V, I
C
= 500mA 50
Collector-emitter saturation voltage V
CE
(sat) I
C
= 500mA, I
B
= 50 mA 0.6 V
Base-emitter saturation voltage V
BE
(sat) I
C
= 500mA, I
B
= 50 mA 1.2 V
Base-emitter voltage V
BE
I
E
= 100mA 1.4 V
Transition frequency f
T
V
CE
= 6 V, I
C
= 20mA
f = 30MHz
150 MHz
CLASSIFICATION OF H
FE(1)
Rank BCD
Range -300
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd. :(852) Fax:(852)
Homepage: https://www.wingshing.com E-mail: wsccltd@hkstar.com
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