P-DIT/塑料双列直插
10N60L
SW-REG/开关电源
MOS
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
企业名：东莞市正刚电子有限公司
类型：
电话： 0769-89798719
联系人：林甲
地址：广东东莞东莞市塘厦镇石潭布大迳路18号
10N60数据表
10A，600V N沟道功率MOSFET
说明
10N60是一种高电压，高电流功率MOSFET，
设计成具有更好的特性，如快速切换时间，低
栅*电荷，低通态电阻，具有较高的崎岖雪崩
的特点。这通常用在*功率MOSFET
开关电源的应用，PWM马达控制，高
*的DC-DC转换器和桥电路。
特点
* RDS（ON）=0.8Ω@ VGS= 10V
*低栅*电荷（典型44nC的）
*低Crss（典型18 pF）
*快速开关
* 100％的雪崩测试
*改进dv / dt能力
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