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共漏*N沟MOSFET:MEM2316M6G场效应

共漏*N沟MOSFET:MEM2316M6G场效应
共漏*N沟MOSFET:MEM2316M6G场效应
  • 品牌/商标:

    MICRONE

  • 型号/规格:

    MEM2316M6G

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

普通会员
商品信息

MEM2316M6G系列共漏*N沟道增强型功率场效应管,采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺*适用于减小导通电阻。MEM2316M6G使用于抵押应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他的电池电源电路。

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联系方式

企业名:深圳市福田区泽森丰电子经营部

类型:经销商

电话: 755-83013135

联系人:陈楷川

地址:广东深圳中航路都会100大厦B座11N

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