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N沟MOSFET:MEM2302场效应管

N沟MOSFET:MEM2302场效应管
N沟MOSFET:MEM2302场效应管
  • 品牌/商标:

    MICRONE

  • 型号/规格:

    MEM2302

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

普通会员
商品信息 更新时间:2014-04-30

 

描述:
MEM2302系列N沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺*适用于减小导通电阻。MEM2302XG适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。

特点:
20V/3A
RDS(ON) =29mΩ@VGS=4.5V,ID=3A
RDS(ON) =36mΩ@VGS=2.5V,ID=2A
*密度单元、*小的RDS(ON))
*小封装:SOT23

应用:
电池电源管理
*开关
低功率DC/DC转换

引脚排列:

联系方式

企业名:深圳市福田区泽森丰电子经营部

类型:经销商

电话: 755-83013135

联系人:陈楷川

地址:广东深圳中航路都会100大厦B座11N

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