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MOS管 三*管 场效应 IRF620 IRF6201TRPBF IRF620PBF

MOS管 三*管 场效应  IRF620 IRF6201TRPBF IRF620PBF
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普通会员
商品信息 更新时间:2012-10-30

数据列表 IRF620
 
产品相片 TO-220AB PKG
 
产品目录绘图 IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2
 
标准包装 1,000
类别 分离式半导体产品 
家庭 FET - 单路 
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 800 毫欧 @ 3.1A, 10V
 
漏*至源*电压(Vdss) 200V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 5.2A
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 14nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  260pF @ 25V
 
功率 - *大 50W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3
 
供应商设备封装 TO-220AB
 
包装 管件
 
 

联系方式

企业名:深圳市广鑫世纪电子有限公司

类型:经销商

电话: 0755-88824483

联系人:林爱凤

地址:广东深圳华强路华强广场D座19J

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