数据列表 IRF630N
产品相片 D2PAK, TO-263
产品目录绘图 IR Hexfet D2PAK
标准包装 800
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 300 毫欧 @ 5.4A, 10V
漏*至源*电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 9.3A
Id 时的 Vgs(th)（*大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 35nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 575pF @ 25V
功率 - *大 82W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1522 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IRF630NSTRLPBF-ND
IRF630NSTRLPBFTR
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
