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MOS管 三*管 场效应 BD242B

MOS管 三*管 场效应 BD242B
MOS管 三*管 场效应 BD242B
  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    BD242B

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 开启电压:

    *(V)

  • 夹断电压:

    *(V)

  • 跨导:

    *(μS)

  • *间电容:

    *(pF)

  • 低频噪声系数:

    *(dB)

  • 漏*电流:

    *(mA)

普通会员
商品信息

数据列表 BD242/A/B/C
 
产品相片 TO-220-3 Pkg
 
产品变化通告 Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007
 
标准包装 200
类别 分离式半导体产品 
家庭 晶体管(BJT) - 单路
系列 -
晶体管类型 PNP
 
电流 - 集电* (Ic)(*大) 3A
 
电压 - 集电*发射*击穿(*大) 80V
 
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(*大) 1.2V @ 600mA, 3A
 
电流 - 集电*截止(*大) 300µA
 
在某 Ic、Vce 时的*小直流电流增益 (hFE) 25 @ 1A, 4V
 
功率 - *大 40W
 
频率 - 转换 -
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3
 
供应商设备封装 TO-220
 
包装 散装
 

"

联系方式

企业名:深圳市广鑫世纪电子有限公司

类型:经销商

电话: 0755-88824483

联系人:林爱凤

地址:广东深圳华强路华强广场D座19J

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