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IR全系列MOS 场效应管 IRFBG20PBF IRFBG20 *原装 长期供应

IR全系列MOS  场效应管 IRFBG20PBF  IRFBG20 *原装 长期供应
IR全系列MOS  场效应管 IRFBG20PBF  IRFBG20 *原装 长期供应
  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFBG20PBF

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-INM/*组件

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 开启电压:

    1000(V)

  • *间电容:

    500(pF)

  • 漏*电流:

    1.4(mA)

  • 耗散功率:

    54(mW)

普通会员
  • 企业名:彭志毫

    类型:经销商

    电话: 86 0755 82719303

    手机:13760241411

    联系人:彭志毫

    地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 高科德交易中心12318

商品信息

数据列表 IRFBG20,SiHFBG20
 
产品相片 TO-220AB PKG
 
产品目录绘图 IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2
 
标准包装 1,000
类别 分离式半导体产品 
家庭 FET - 单路 
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 11 欧姆 @ 840mA, 10V
 
漏*至源*电压(Vdss) 1000V (1kV)
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 1.4A
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 38nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  500pF @ 25V
 
功率 - *大 54W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3
 
供应商设备封装 TO-220AB
 
包装 管件
 
产品目录页面 1483 (CN2010-11 Interactive)
1483 (CN2010-11 PDF)
 
其它名称 *IRFBG20PBF

联系方式

企业名:彭志毫

类型:经销商

电话: 86 0755 82719303

手机:13760241411

联系人:彭志毫

地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 高科德交易中心12318

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